U.2 SSD UTE210T

El U.2 SSD UTE210T de Transcend cuenta con flash 3D NAND de 112 capas, controlador de 8 canales e interfaz PCI Express (PCIe) Gen 4×4, estableciendo nuevos puntos de referencia en la eficiencia de la transferencia de datos. El caché DRAM incorporada permite velocidades rápidas de lectura y escritura aleatorias, mientras que la resistencia antisulfuro garantiza una alta confiabilidad de almacenamiento en condiciones adversas. El UTE210T también presenta una disipación de calor superior, lo que permite operaciones de alta velocidad sin riesgo de sobrecalentamiento.

El U.2 SSD UTE210T también está diseñado con un capacitor de tantalio incorporado, lo que facilita la función de protección contra pérdida de energía (PLP). Durante cortes de energía inesperados, el SSD garantiza la integridad de los datos y la confiabilidad del almacenamiento, salvaguardando la información importante. El UTE210T se prueba completamente internamente para temperaturas de funcionamiento extendidas que van desde -20 ℃ a 75 ℃, adecuado para computación de alto rendimiento (HPC), centros de datos, análisis de big data, procesamiento de transacciones en línea (OLTP), imagen de alta resolución streaming y aplicaciones de IA, etc.

Flash NAND 3D a 112 strati

Temperatura estesa

Regolazione del limite di velocità dinamico

Tecnologia antisolforosa

Raccolta dei rifiuti

Livellamento dell'usura

TRIM

Gestione dei blocchi difettosa

Power Loss Protection (PLP)

Muoversi presto

Caratteristiche del firmware

  • Supporta i comandi NVM
  • Strozzatura termica dinamica
  • Funzione LDPC ECC (Error Correction Code) integrata
  • Livellamento globale avanzato dell'usura e gestione dei blocchi difettosi per l'affidabilità
  • Garbage Collection avanzato
  • Funzione S.M.A.R.T. potenziata per una maggiore durata.
  • Comando TRIM per migliorare le prestazioni
  • Comando NCQ per prestazioni migliori
  • Crittografia dell'intero disco con Advanced Encryption Standard (AES) (opzionale)

Caratteristiche hardware

  • Conforme agli standard RoHS 2.0
  • Conforme alle specifiche NVM Express 1.4
  • Conforme alle specifiche PCI Express 4.0
  • Interfaccia PCIe Gen 4 x 4
  • Modulo cache DDR4 integrato
  • Resistenza: 3K cicli P/E (programma/eliminazione) garantiti
  • Implementazione della tecnologia antisolforosa per prevenire la solforazione nell'ambiente.
  • Intelligent Power Shield (IPS) per prevenire la perdita di dati durante un'improvvisa interruzione di corrente.

Specifiche tecniche

Aspetto

Dimensioni 100 mm x 69.85 mm x 7 mm (3.94″ x 2.75″ x 0.28″)
Peso 60 g (2.11 oz)
Fattore di forma
  • U.2 2.5″

Interfaccia

Interfaccia bus
  • NVMe PCIe Gen4 x4

Immagazzinamento

Capacità
  • 512 GB/
  • 1 TB/
  • 2 TB/
  • 4 TB/
  • 8 TB
Tipo di flash
  • Flash NAND 3D a 112 strati

Ambiente operativo

Tensione di esercizio
  • 12.0V±5%
Temperatura di esercizio
  • Estensione

    -20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)

Temperatura di stoccaggio -55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
Umidità 5% ~ 95%
Sciopero
  • 1500 G, 0,5 ms, 3 assi
Vibrazioni (in funzione) 20 G (picco-picco), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequenza)

Alimentazione

Consumo di energia (in funzione) 9.0 vatio(s)
Consumo di energia (IDLE) 1.0 vatio(s)

Prestazioni

Lettura/scrittura sequenziale (CrystalDiskMark) Lectura: Hasta 7,000 MB/s
Escritura: Hasta 6,300 MB/s
4K Lettura/Scrittura casuale (IOmetro) Lectura: Hasta 580,000 IOPS
Escritura: Hasta 460,000 IOPS
Tempo medio tra i guasti (MTBF) 3.000.000 di ore
Terabyte scritti (TBW) Hasta 3260 TBW
Numero di dischi scritti al giorno (DWPD) 1.48 (3 años)
Nota
  • La velocità può variare a seconda dell'host, dell'hardware, del software, dell'utilizzo e della capacità di archiviazione.
  • Il carico di lavoro utilizzato per valutare il DWPD può essere diverso rispetto al carico di lavoro effettivo, a causa della differenza di hardware, software, utilizzo e capacità di storage dell'host.

Garanzia

Certificato
  • CE/
  • UKCA/
  • FCC/
  • BSMI
Garanzia
  • Garanzia limitata di tre anni
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